Infravörös mikroszkópok alkalmazásai az elektronikai ipar mikrokészülékeiben
Háttér Bevezetés
A nanotechnológia fejlődésével felülről lefelé haladó miniatürizálási módszerét egyre inkább alkalmazzák a félvezető technológia területén. Az IC technológiát korábban "mikroelektronikai" technológiának nevezték, mivel a tranzisztorok mérete mikrométeres skálán (10-⁻6 méter) volt.
Mindazonáltal a félvezető technológia gyorsan fejlődik, kétévente új generáció jelenik meg, és a jellemzők mérete felére csökken. Ez a jól ismert Moore-törvény. Körülbelül 15 évvel ezelőtt a félvezetőipar belépett a szubmikron korszakba, ahol a méretek kisebbek egy mikrométernél, ezt követte a mély szubmikron korszak, ahol a jellemzők mérete jóval egy mikrométer alatti. 2001-re a tranzisztorok mérete még 0,1 mikrométer alá is csökkent, vagyis 100 nanométer alá. Ezért a nanoelektronika korszakát éljük, és a legtöbb jövőbeli integrált áramkör (IC) nanotechnológiával készül majd.
Műszaki követelmények
Jelenleg az elektronikus alkatrészek elsődleges meghibásodási módja a termikus hiba. A statisztikák azt mutatják, hogy az elektronikus eszközök meghibásodásának 55%-át a meghatározott határértékeket meghaladó hőmérséklet okozza. A hőmérséklet emelkedésével az elektronikus eszközök meghibásodási aránya exponenciálisan növekszik. Általánosságban elmondható, hogy az elektronikus alkatrészek működési megbízhatósága rendkívül érzékeny a hőmérsékletre. Ha a készülék hőmérséklete 70-80 fok között van, minden 1 fokos emelkedés 5%-kal csökkenti a megbízhatóságot. Ezért az alkatrészek gyors és megbízható hőmérsékletmérésére van szükség. Mivel a félvezető eszközök mérete folyamatosan csökken, a vizsgálóberendezések hőmérsékleti és térbeli felbontásával szemben egyre nagyobb követelményeket támasztanak.
