Mikroszkópok alkalmazása a stratégiai feltörekvő iparágak LED szektorában
A LED (Light-Emitting Diode) a fénykibocsátó dióda rövidítése. 2009 második felétől a LED-piac gyors növekedést ért el. Gyorsan növekvő, feltörekvő iparágként az előrejelzések szerint a LED-ipar mérete 2015-re meghaladja az 500 milliárd RMB-t, amelyből 160 milliárd RMB az általános világításra, 120 milliárd RMB a nagyméretű LCD-televíziók háttérvilágítására, 20 milliárd RMB az autóipari világításra, valamint 100 milliárd RMB a tájvilágításra, valamint a kijelzőkre és egyéb szektorokra.
A LED ipari lánc nagyjából három szegmensre osztható: felfelé irányuló szubsztrát-növekedés és epitaxiális lapkagyártás, középső chip-csomagolás és későbbi alkalmazási termékek. A teljes ipari láncon belül a fő láncszemek a szubsztrát növekedése és az epitaxiális lapkagyártás. Ez a két szegmens műszakilag rendkívül összetett, és az iparág teljes kibocsátási értékének és nyereségének közel 70%-át adja.
A LED-ipar fejlődési trendje
Mind a nemzetközi, mind a hazai piacok által érintett és a Nemzeti Félvezető Világítási Projekt által támogatott kínai LED-ipar kezdetben viszonylag teljes ipari láncot alakított ki, amely magában foglalja az upstream szubsztrátum anyagokat, a LED epitaxiális lapkagyártást, a LED chipek gyártását, a LED chipek csomagolását és a LED-termékek alkalmazását.
Mint mindannyian tudjuk, a félvezető fénykibocsátó diódák nagy konverziós hatékonysággal és hosszú élettartammal rendelkeznek. Ezeket a következő generációs fényforrásoknak tekintik, amelyek felváltják a jelenleg használt hagyományos fényforrásokat. Mindazonáltal a LED-ek jelenlegi teljesítményéből ítélve e cél elérése érdekében számos technikai kihívást kell még leküzdeni, ami intenzívebb kutatást tesz szükségessé az anyagjellemző és az eszközelemzési technológiák terén. A csomagolási struktúrákat, chipszerkezeteket, LED-eszközök összetételét és interfészfeltételeit célzó analitikai technikáknál az olyan berendezések, mint az optikai mikroszkópok, pásztázó elektronmikroszkópok, röntgenenergia-spektrométerek és másodlagos iontömegspektrométerek nélkülözhetetlen analitikai eszközökként szolgálnak az eszközök meghibásodásához és szerkezeti elemzéséhez, valamint az epitaxiális folyamatok monitorozásához, javításához és optimalizálásához.
