Power EMI technológia átviteli csatorna
Átviteli csatorna az interferencia vezetésére
(1) Kapacitív csatolás
(2) Induktív csatolás
(3) Ellenállásos csatolás
a. A közüzemi tápegység belső ellenállása által generált ellenállás-vezető csatolás
b. A közös földvezeték impedanciája által generált ellenállás-vezetési csatolás
c. A nyilvános vezetékek impedanciája által generált ellenállás-vezetési csatolás
EMI technológia elnyomása kapcsolóüzemű tápegységekhez
(1) Csökkentse a dv/dt és a di/dt értékeket (csökkentse ezek csúcsát és meredekségét)
(2) Varisztorok ésszerű alkalmazása a túlfeszültség csökkentésére
(3) Csillapító hálózat a túllövés elnyomására
(4) Lágy helyreállítási karakterisztikával rendelkező diódák a nagyfrekvenciás EMI csökkentésére
(5) Aktív teljesítménytényező korrekció és egyéb harmonikus korrekciós technológiák
(6) Egy ésszerűen tervezett távvezetéki szűrő alkalmazása
(7) Ésszerű földelési kezelés
(8) Hatékony árnyékolási intézkedések
(9) Ésszerű PCB kialakítás
Kapcsolóteljesítmény EMI technológia interferenciaforrások
(1) Tápkapcsoló cső
A bekapcsológomb On Off gyors ciklusváltási állapotban működik, a dv/dt és a di/dt egyaránt gyorsan változik. Ezért a tápkapcsoló nem csak az elektromos tércsatolás fő interferenciaforrása, hanem a mágneses tércsatolás fő interferenciaforrása is.
(2)
A nagyfrekvenciás transzformátorok EMI-forrása elsősorban a szivárgási induktivitásnak megfelelő di/dt gyors ciklikus transzformációban jelenik meg, így a nagyfrekvenciás transzformátorok fontos interferenciaforrások a mágneses tércsatolásnál.
(3) Egyenirányító dióda
Az egyenirányító diódák EMI-forrása elsősorban a fordított helyreállítási jellemzőkben tükröződik. A fordított visszanyerő áram szakaszos pontjai magas dv/dt-t generálnak az induktorokban (vezeték-induktivitás, szórt induktivitás stb.), ami erős elektromágneses interferenciához vezet.
(4) PCB
Pontosabban, a pCB a fent említett interferenciaforrások csatoló csatornája, és a pCB minősége közvetlenül megfelel az EMI forrás elnyomás minőségének.
Szivárgási induktivitás szabályozása nagyfrekvenciás transzformátorokban
A nagyfrekvenciás transzformátorok szivárgási induktivitása az egyik fontos oka a lekapcsolási csúcsfeszültség kialakulásának. Ezért a szivárgási induktivitás szabályozása a nagyfrekvenciás transzformátorok által okozott EMI megoldásának elsődleges problémája lett.
Két belépési pont a nagyfrekvenciás transzformátor szivárgási induktivitásának csökkentésére: elektromos tervezés és folyamattervezés!
(1) Válasszon megfelelő mágneses magot a szivárgási induktivitás csökkentése érdekében. A szivárgási induktivitás arányos az eredeti oldalfordulatok négyzetével, és a fordulatok számának csökkentése jelentősen csökkenti a szivárgási induktivitást.
(2) Csökkentse a szigetelőréteget a tekercsek között. Jelenleg van egy "arany vékony film" nevű szigetelőréteg, amelynek vastagsága 20-100um, és impulzus-letörési feszültsége több ezer volt.
(3) Növelje a tekercsek közötti csatolást és csökkentse a szivárgási induktivitást.
