Infravörös mikroszkópia az elektronikai iparban apró eszközök alkalmazásában
I. Alkalmazási irány: Infravörös mikroszkópia apró félvezető eszközök hőmérsékleti tesztelésében
II. Háttérbevezetés:
A nanotechnológia fejlődésével felülről lefelé történő miniatürizálását egyre inkább alkalmazzák a félvezető technológia területén. Korábban az IC technológiát "mikroelektronika" technológiának hívtuk, ami azért van, mert a tranzisztorok mérete mikronos (10-6 méter) léptékben van. A félvezető technológia azonban olyan gyorsan fejlődik, hogy kétévente egy generációt halad előre, és eredeti méretének felére zsugorodik, amit Moore-törvényként ismernek. Körülbelül 15 évvel ezelőtt a félvezetők elkezdtek belépni a mikron alatti vagy mikronnál kisebb korszakba, majd ezt követte a mély, mikronnál jóval kisebb korszak. 2001-re a tranzisztorok még 0,1 mikronnál is kisebbek voltak, vagy 100 nanométernél kisebbek. Ezért ez a nanoelektronika korszaka, és a jövőbeni IC-k többsége nanotechnológiával készül majd.
Harmadszor, a műszaki követelmények:
Jelenleg az elektronikus készülékek meghibásodásának fő formája a hőhiba. A statisztikák szerint az elektronikai készülékek meghibásodásának 55%-át a megadott értéket meghaladó hőmérséklet okozza, a hőmérséklet emelkedésével pedig exponenciálisan növekszik az elektronikai eszközök meghibásodásának aránya. Általánosságban elmondható, hogy az elektronikai alkatrészek működési megbízhatósága rendkívül érzékeny a hőmérsékletre, a készülék hőmérséklete 70-80 fokos szinten minden 1 fokos növekedés esetén a megbízhatóság 5%-kal csökken. Ezért szükség van az eszközök gyors és megbízható hőmérsékletérzékelésére. Ahogy a félvezető eszközök mérete egyre kisebb, az érzékelő berendezések hőmérsékleti és térbeli felbontása egyre magasabb követelményeket támaszt.
Negyedszer, a helyszíni forgatás hőtérkép (helyszín: egy jól ismert kutatóintézet Modell: INNOMETE SI330)
