Hogyan lehet multimétert használni a terepi effektusok minőségének észlelésére?
Mivel egy csillapító dióda jelen van a általánosan használt MOSFET -ek DS pólusai között, a MOSFET -ek teljesítménye meghatározható egy digitális multiméter dióda szintjének felhasználásával, hogy kimutatja a DS oszlopok közötti dióda feszültségcsökkenést. A részletes észlelési módszer a következő.
Forgassa el a digitális multiméter sebességváltó -kapcsolóját a dióda üzemmódba, csatlakoztassa a piros szondát az S pólusához és a fekete szondát a D pólushoz. Ebben az időben a multiméter képernyője megjeleníti a dióda feszültségcsökkenési értékét a DS oszlopok között. A nagy teljesítményű terepi hatású tranzisztorok feszültségcsökkenési értéke általában 0. 4 és 0. 8V (többnyire 0. A D-pólushoz csatlakoztatott piros szonda, valamint a G pólus és más csapok (például egy N-csatornás szonda-tranzisztorban, a P-csatornával és a fekete szonda csatlakoztatott fekete szonda csatlakoztatását a Dole-hez csatlakoztatott, a P-csatornával, az S pólushoz csatlakoztatott, a G-pólus és más csapok között nem szabad feszültségcsökkenésre az S pólushoz csatlakoztatva, a G pólushoz és más csapok között). Éppen ellenkezőleg, ez azt jelzi, hogy a terepi hatású tranzisztor megsérült.
A terepi effektus tranzisztorokat általában megsérülik a bontás, és ebben az esetben a csapok általában rövidzárlatú állapotban vannak. Ezért a csapok közötti feszültségcsökkenésnek szintén OV -nak kell lennie. A MOS terepi hatású tranzisztor minden egyes mérése után kis mennyiségű töltést töltenek fel a GS csomópont kondenzátorán, és létrehozzák az UG-k feszültségét. Ha ismét mérjük, a szonda nem mozog (ha digitális multiméter használata, akkor a mérési hiba nagy lesz). Ebben az időben röviden rövidzárlatot mutat a GS terminálok.
A terepi hatású tranzisztorok károsodását általában a bontás és a rövidzárlat okozza. Ebben az időben a multiméterrel történő mérés, a csapok általában összekapcsolódnak. Miután a terepi hatású tranzisztor megsérült, általában nincs nyilvánvaló megjelenési kár. Súlyosan túláramló sérült terepi hatású tranzisztorok esetén felrobbanhat.
